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TPC6108 PDF预览

TPC6108

更新时间： 2024-01-28 09:46:24
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS4)

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TPC6108 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, 2-3T1A, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC6108 数据手册

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TPC6108  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
TPC6108  
TENTATIVE  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 50 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 7.4 S (typ.)  
fs  
= −10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= −30 V)  
DS  
DSS  
Enhancement-model: V = −0.8 to −2.0 V  
th  
(V  
= −10 V, I = −1 mA)  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
V
−30  
−30  
±20  
−4.5  
−18  
2.2  
V
V
V
DSS  
Source  
Drain  
Drain  
Gate  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
Drain  
Drain  
GS  
DGR  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
I
JEDEC  
―
DP  
Drain power dissipation(t = 5 s) (Note 2a)  
Drain power dissipation(t = 5 s) (Note 2b)  
P
D
D
JEITA  
―
W
P
0.7  
TOSHIBA  
2-3T1A  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current  
(Note 4)  
E
1.3  
mJ  
A
AS  
AR  
Weight: 0.011 g (typ.)  
I
−2.25  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
E
0.22  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
Circuit Configuration  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
6
5
4
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
56.8  
Unit  
1
2
3
Thermal resistance, channel to ambient(t = 5 s)  
R
°C/W  
th (ch-a)  
th (ch-a)  
(Note 2a)  
Thermal resistance, channel to ambient(t = 5 s)  
R
178.5  
°C/W  
(Note 2b)  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4) and (Note 5), please refer  
to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2004-10-28  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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