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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC6102(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6 |
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| TPC6102_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Notebook PC Applications Portable Equipment Applications |
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| TPC6103 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) |
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| TPC6103(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,5.5A I(D),SOT-25VAR |
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| TPC6103(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,5.5A I(D),SOT-25VAR |
|
| TPC6103_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Notebook PC Applications Portable Equipment Applications |
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| TPC6104 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII) |
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| TPC6104(TE85L,F,M) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A |
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| TPC6104_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Notebook PC Applications Portable Equipment Applications |
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| TPC6105 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) |
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