TPC6003

更新时间： 2024-02-10 06:48:52

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	159K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPC6003 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	VS-6, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC6003 数据手册

TPC6003

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TPC6003

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

Unit: mm

Low drain-source ON resistance: R

= 19 mΩ (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 7 S (typ.)

= 10 µA (max) (V

Low leakage current: I

= 30 V)

= 10 V, I = 1 mA)

DSS

Enhancement-model: V = 1.3 to 2.5 V (V

th DS

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

DSS

DGR

GSS

Drain-gate voltage (R

= 20 kW)

Gate-source voltage

±20

(Note 1)

Pulse

(Note 1)

Drain current

2.2

0.7

JEDEC

JEITA

―

Drain power dissipation

(t = 5 s)

(Note 2a)

(t = 5 s)

TOSHIBA

2-3T1A

Weight: 0.011 g (typ.)

(Note 2b)

Single pulse avalanche energy(Note 3)

Avalanche current

5.8

Circuit Configuration

Repetitive avalanche energy (Note 4)

Channel temperature

0.22

°C

150

Storage temperature range

-55 to 150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

56.8

Unit

Thermal resistance, channel to ambient

Marking (Note 5)

°C/W

th (ch-a)

(t = 5 s)

Thermal resistance, channel to ambient

(t = 5 s) (Note 2b)

(Note 2a)

178.5

°C/W

th (ch-a)

S 2 D

Note: (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), (Note 5) Please see next

page.

This transistor is an electrostatically sensitive device. Please handle it

with caution.

2002-01-15

12 3 4 5 6

下载PDF

与TPC6003相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TPC6003_07	TOSHIBA	Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)	获取价格
TPC6004	TOSHIBA	Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Silicon N Channel MOS Type (U-MOS	获取价格
TPC6004(TE85L)	TOSHIBA	Small Signal Field-Effect Transistor	获取价格
TPC6004(TE85L,F)	TOSHIBA	Small Signal Field-Effect Transistor	获取价格
TPC6004_07	TOSHIBA	Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	获取价格
TPC-600-48S	TOPPOWER	600W wide input AC/DC switching power supply	获取价格