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TPC6003

更新时间： 2024-11-10 22:19:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 159K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPC6003 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：VS-6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC6003 数据手册

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TPC6003  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPC6003  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 19 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 7 S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 30 V)  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DSS  
Enhancement-model: V = 1.3 to 2.5 V (V  
th DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
30  
30  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
±20  
DC  
I
6
D
(Note 1)  
Pulse  
(Note 1)  
Drain current  
A
I
24  
2.2  
0.7  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
P
W
W
D
D
TOSHIBA  
2-3T1A  
Weight: 0.011 g (typ.)  
P
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
5.8  
3
mJ  
A
AS  
I
Circuit Configuration  
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
0.22  
mJ  
°C  
°C  
AR  
6
5
4
3
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Thermal Characteristics  
1
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
56.8  
Unit  
Thermal resistance, channel to ambient  
Marking (Note 5)  
R
°C/W  
th (ch-a)  
(t = 5 s)  
Thermal resistance, channel to ambient  
(t = 5 s) (Note 2b)  
(Note 2a)  
R
178.5  
°C/W  
th (ch-a)  
S 2 D  
Note: (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), (Note 5) Please see next  
page.  
This transistor is an electrostatically sensitive device. Please handle it  
with caution.  
1
2002-01-15  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC6003_07 TOSHIBA

获取价格

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