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TPC6004 PDF预览

TPC6004

更新时间： 2024-11-10 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管电脑便携式便携式设备PC
页数 文件大小 规格书
7页 203K
描述
Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPC6004 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：VS-6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC6004 数据手册

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TPC6004  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPC6004  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 19 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 11 S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 20 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = 0.5 to 1.2 V (V  
= 10 V, I = 200 µA)  
D
th  
DS  
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
20  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
±12  
DC  
I
6
D
(Note 1)  
Drain current  
A
Pulse  
I
24  
DP  
(Note 1)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
P
2.2  
0.7  
W
W
D
D
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
P
TOSHIBA  
2-3T1A  
Weight: 0.011 g (typ.)  
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
5.8  
3
mJ  
A
AS  
I
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
0.22  
mJ  
°C  
°C  
AR  
Circuit Configuration  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
6
5
4
3
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
56.8  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance, channel to ambient  
1
2
R
th (ch-a)  
th (ch-a)  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
Thermal resistance, channel to ambient  
(t = 5 s) (Note 2b)  
R
178.5  
Note: Note 1, Note 2, Note 3, Note 4 and Note 5: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2004-07-06  
1234567

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