TPC6003

更新时间： 2024-02-08 06:49:46

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	159K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPC6003 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	VS-6, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC6003 数据手册

TPC6003

– V

I – V

D DS

6, 8, 10

3.2

2.8

2.7

2.8

2.6

2.7

2.6

2.5

= 2.3 V

= 2.4 V

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

Drain-source voltage

(V)

Drain-source voltage

(V)

– V

DS GS

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

Common source

Ta = 25°C

Common source

= 10 V

Pulse test

25°C

= 6 A

100°C

Ta = -55°C

3 A

1.5 A

Gate-source voltage

(V)

Gate-source voltage

(V)

|Y | – I

– I

DS (ON) D

100

4.5 V

Ta = -55°C

= 10 V

25°C

100°C

Common source

= 10 V

Common source

T = 25°C

Pulse test

30 50

100

0.1

0.3

100

Dain current

(A)

Drain current

(A)

2002-01-15

1 234 5 6

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