TIP140

更新时间： 2024-02-03 21:44:57

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	74K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP140 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

TIP140 数据手册

TIP140 – TIP141 – TIP142

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Test Condition(s)

V_CE= 30 V

V_CE= 40 V

V_CE= 50 V

Symbol

I_CEO

Ratings

Min Typ Max Unit

TIP140

TIP141

TIP142

TIP140

TIP141

TIP142

TIP140

TIP141

TIP142

TIP140

TIP141

TIP142

Collector Cutoff Current

I_B= 0

Emitter Cutoff Current

I_C= 0

I_EBO

V_BE= 5 V

V_CB= 60 V

V_CB= 80 V

V_CB= 100 V

Collector Cutoff Current

I_E= 0

I_CBO

100

Collector-Emitter Sustaining

I_B= 0

V_CE0(SUS)

I_C= 30 mA

V_CE= 4 V

I_C= 5 A

V_CE= 4 V

I_C= 10 A

1000

500

h_FE

DC Current Gain (*)

TIP140

TIP141

TIP142

TIP140

TIP141

TIP142

TIP140

TIP141

TIP142

I_C= 5 A

I_B= 10 mA

Collector-Emitter saturation

Voltage (*)

V_CE(SAT)

I_C= 10 A

I_B=40 mA

V_CE= 4 V

I_C= 10 A

V_BE

V_F

Base-Emitter Voltage (*)

Parallel Diode forward voltage I_F=10 A

3.5

V_BE(off)= -4.2V

Turn-on Time

0.9

t_on

t_off

I_C= 10 A, R_L= 3 Ω

µs

_B(on)= 40mA

Turn-on Time

_B(off)= -40 mA

(*) Pulse Width = 200 µs, Duty Cycle ∠ 1.5%

30/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

2/3

123

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