TIP141

更新时间： 2024-02-19 08:28:20

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描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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TIP141 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.9
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON

TIP141 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

TIP140

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= 5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 60V(Min)

·Complement to Type TIP145

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low

frequency switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

0.5

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

125

150

-65~150

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.0

℃/W

35.7 ℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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