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TE28F400CE-T120 PDF预览

TE28F400CE-T120

更新时间： 2024-11-13 19:51:31
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
57页 648K
描述
512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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TE28F400CE-T120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1,针数：48
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
最长访问时间：120 ns其他特性：CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V; CAN BE CONFG AS 256K X 16; TOP BOOT BLOCK
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：12 mm
Base Number Matches：1

TE28F400CE-T120 数据手册

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PRELIMINARY  
E
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)  
SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH  
MEMORY FAMILY  
28F400BV-T/B, 28F400CV-T/B, 28F004BV-T/B  
28F400CE-T/B, 28F004BE-T/B  
Intel SmartVoltage Technology  
5V or 12V Program/Erase  
Extended Temperature Operation  
–40°C to +85°C  
2.7V, 3.3V or 5V Read Operation  
Increased Programming Throughput  
at 12V VPP  
Extended Cycling Capability  
100,000 Block Erase Cycles  
(Commercial Temperature)  
10,000 Block Erase Cycles  
(Extended Temperature)  
Very High-Performance Read  
5V: 60/80/120 ns Max. Access Time,  
30/40 ns Max. Output Enable Time  
3V: 110/150/180 ns Max Access  
65/90 ns Max. Output Enable Time  
2.7V: 120 ns Max Access 65 ns Max.  
Output Enable Time  
Automated Word/Byte Program and  
Block Erase  
Industry-Standard Command User  
Interface  
Status Registers  
Low Power Consumption  
Max 60 mA Read Current at 5V  
Max 30 mA Read Current at  
2.7V–3.6V  
Erase Suspend Capability  
SRAM-Compatible Write Interface  
Automatic Power Savings Feature  
1 mA Typical ICC Active Current in  
Static Operation  
x8/x16-Selectable Input/Output Bus  
28F400 for High Performance 16- or  
32-bit CPUs  
Reset/Deep Power-Down Input  
0.2 µA ICCTypical  
x8-Only Input/Output Architecture  
28F004B for Space-Constrained  
8-bit Applications  
Provides Reset for Boot Operations  
Hardware Data Protection Feature  
Write Lockout during Power  
Transitions  
Optimized Array Blocking Architecture  
One 16-KB Protected Boot Block  
Two 8-KB Parameter Blocks  
One 96-KB Main Block  
Industry-Standard Surface Mount  
Packaging  
40-Lead TSOP  
44-Lead PSOP: JEDEC ROM  
Compatible  
48-Lead TSOP  
56-Lead TSOP  
Three 128-KB Main Blocks  
Top or Bottom Boot Locations  
Absolute Hardware-Protection for Boot  
Block  
Software EEPROM Emulation with  
Parameter Blocks  
Footprint Upgradeable from 2-Mbit and  
to 8-Mbit Boot Block Flash Memories  
ETOX™ IV Flash Technology  
July 1997  
Order Number: 290530-005  
1234567...57

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