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Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F400CVB80
TE28F400CVB80 PDF预览

TE28F400CVB80

更新时间： 2024-11-12 22:16:23
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
57页 655K
描述
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY

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TE28F400CVB80 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：20 X 12 MM, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.87
Is Samacsys：N最长访问时间：110 ns
其他特性：ALSO OPERATES WITH 4.5V-5.5V SUPPLY, BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：NO耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,3端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3/5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
部门规模：16K,8K,96K,128K最大待机电流：0.000008 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

TE28F400CVB80 数据手册

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PRELIMINARY  
E
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)  
SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH  
MEMORY FAMILY  
28F400BV-T/B, 28F400CV-T/B, 28F004BV-T/B  
28F400CE-T/B, 28F004BE-T/B  
Intel SmartVoltage Technology  
5V or 12V Program/Erase  
Extended Temperature Operation  
–40°C to +85°C  
2.7V, 3.3V or 5V Read Operation  
Increased Programming Throughput  
at 12V VPP  
Extended Cycling Capability  
100,000 Block Erase Cycles  
(Commercial Temperature)  
10,000 Block Erase Cycles  
(Extended Temperature)  
Very High-Performance Read  
5V: 60/80/120 ns Max. Access Time,  
30/40 ns Max. Output Enable Time  
3V: 110/150/180 ns Max Access  
65/90 ns Max. Output Enable Time  
2.7V: 120 ns Max Access 65 ns Max.  
Output Enable Time  
Automated Word/Byte Program and  
Block Erase  
Industry-Standard Command User  
Interface  
Status Registers  
Low Power Consumption  
Max 60 mA Read Current at 5V  
Max 30 mA Read Current at  
2.7V–3.6V  
Erase Suspend Capability  
SRAM-Compatible Write Interface  
Automatic Power Savings Feature  
1 mA Typical ICC Active Current in  
Static Operation  
x8/x16-Selectable Input/Output Bus  
28F400 for High Performance 16- or  
32-bit CPUs  
Reset/Deep Power-Down Input  
0.2 µA ICCTypical  
x8-Only Input/Output Architecture  
28F004B for Space-Constrained  
8-bit Applications  
Provides Reset for Boot Operations  
Hardware Data Protection Feature  
Write Lockout during Power  
Transitions  
Optimized Array Blocking Architecture  
One 16-KB Protected Boot Block  
Two 8-KB Parameter Blocks  
One 96-KB Main Block  
Industry-Standard Surface Mount  
Packaging  
40-Lead TSOP  
44-Lead PSOP: JEDEC ROM  
Compatible  
48-Lead TSOP  
56-Lead TSOP  
Three 128-KB Main Blocks  
Top or Bottom Boot Locations  
Absolute Hardware-Protection for Boot  
Block  
Software EEPROM Emulation with  
Parameter Blocks  
Footprint Upgradeable from 2-Mbit and  
to 8-Mbit Boot Block Flash Memories  
ETOX™ IV Flash Technology  
July 1997  
Order Number: 290530-005  
1234567...57

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F400CV-B80 INTEL

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 		2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F400CV-T60 INTEL

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 		2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F400CVT80 INTEL

获取价格

 		4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F400CV-T80 INTEL

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 		2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F640B3 INTEL

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 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3BC100 INTEL

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 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3BC70 INTEL

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 		Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
TE28F640B3BC90 INTEL

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 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3TC100 INTEL

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 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
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 		Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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