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TE28F640B3BC70

更新时间： 2024-11-14 05:16:19
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
71页 1145K
描述
Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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TE28F640B3BC70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.55最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

TE28F640B3BC70 数据手册

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Intel® Advanced Boot Block Flash  
Memory (B3)  
28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3  
Datasheet  
Product Features  
• Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V – 3.6 V read/program/erase  
• Intel® Flash Data Integrator Software  
—Flash Memory Manager  
—12 V V fast production programming  
—System Interrupt Manager  
PP  
—Supports parameter storage, streaming  
data (for example, voice)  
• 1.65 V – .5 V or 2.7 V – 3.6 V I/O option  
—Reduces overall system power  
• Extended Cycling Capability  
—Minimum 100,000 block erase cycles  
• High Performance  
—2.7 V – 3.6 V: 70 ns max access time  
• Automatic Power Savings Feature  
• Optimized Block Sizes  
—Eight 8-KB blocks for data, top or  
bottom locations  
—Typical I  
after bus inactivity  
CCS  
• Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball CSP packages  
—Up to 127 x 64-KB blocks for code  
—40-Lead and 48-Lead TSOP packages  
• Block Locking  
—V -level control through Write Protect  
• Density and Footprint Upgradeable for  
common package  
CC  
WP#  
—8-, 16-, 32-, and 64-Mbit densities  
• Low Power Consumption  
—9 mA typical read current  
• ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash  
Technology  
• Absolute Hardware-Protection  
—16-Mbit and 32-Mbit densities  
—V = GND option  
PP  
• ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology  
—V lockout voltage  
CC  
—16-, 32-, and 64-Mbit densities  
• Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
• ETOX ™ VI (0.25µm) Flash Technology  
—8-, 16-, and 32-Mbit densities  
• Automated Program and Block Erase  
—Status registers  
• Bo not use the x8 option for new designs  
The Intel® Advanced Boot Block Flash Memory (B3) device, manufactured on the Intel 0.13 µm  
and 0.18 µm technologies, is a feature-rich solution at a low system cost. The B3 device in x16 is  
available in 48-lead TSOP and 48-ball CSP packages. The x8 option of this product family is  
available only in 40-lead TSOP and 48-ball µBGA* packages. For additional information about  
this product family, see the Intel website: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales  
office that you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290580, Revision: 020  
18 Aug 2005  
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