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TE28F640C3BC100

更新时间： 2024-11-13 21:16:35

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恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
76页	1020K
描述
Flash, 4MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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TE28F640C3BC100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.24
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

TE28F640C3BC100 数据手册

3-Volt Advanced+ Boot Block Flash

Memory

28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16)

Preliminary Datasheet

Product Features

• Flexible SmartVoltage Technology

—2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase

—12 V for Fast Production Programming

• 128-bit Protection Register

—64-bit Unique Device Identifier

—64-bit User Programmable OTP Cells

• 1.65 V–2.5 V or 2.7 V–3.6 V I/O Option

—Reduces Overall System Power

• Extended Cycling Capability

—Minimum 100,000 Block Erase Cycles

• Supports Intel^®Flash Data Integrator

Software

—Flash Memory Manager

—System Interrupt Manager

—Supports Parameter Storage, Streaming

Data (e.g., voice)

• High Performance

—2.7 V–3.6 V: 70 ns Max Access Time

• Optimized Architecture for Code Plus

Data Storage

—Eight 4-Kword Blocks, Top or Bottom

Locations

—Up to One Hundred-Twenty-Seven 32-

Kword Blocks

—Fast Program Suspend Capability

—Fast Erase Suspend Capability

• Automated Word/Byte Program and

Block Erase

—Command User Interface

—Status Registers

• Cross-Compatible Command Support

—Intel Basic Command Set

—Common Flash Interface

• Flexible Block Locking

—Lock/Unlock Any Block

—Full Protection on Power-Up

—WP# Pin for Hardware Block Protection

• Standard Surface Mount Packaging

—48-Ball CSP Packages

—64-Ball Easy BGA Packages

—48-Lead TSOP Package

—V = GND Option

—V Lockout Voltage

• Low Power Consumption

—9 mA Typical Read Power

—7 µA Typical Standby Power with

Automatic Power Savings Feature

• ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash

Technology

—32- and 64-Mbit

• 12 V Fast Production Program

• ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology

—16-, 32-, 64-Mbit

• Extended Temperature Operation

—–40 °C to +85 °C

• ETOX™ VI (0.25 µm) Flash Technology

—8-, 16- and 32-Mbit

The 3-Volt Advanced+ Boot Block Flash memory, manufactured on Intel’s latest 0.13 µm and

0.18 µm technologies, represents a feature-rich solution for low-power applications. 3-Volt

Advanced+ Boot Block Flash memory devices incorporate low-voltage capability (2.7 V read,

program and erase) with high-speed, low-power operation. Flexible block locking allows any

Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The

specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that

you have the latest datasheet before finalizing a design.

Order Number: 290645-012

October 2001

12 3 4 5 6 7...76

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