是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | 20 X 12 MM, TSOP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 110 ns | 其他特性: | ALSO OPERATES WITH 4.5V-5.5V SUPPLY, TOP BOOT BLOCK |
备用内存宽度: | 8 | 启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,3 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3/5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 部门规模: | 16K,8K,96K,128K |
最大待机电流: | 0.000008 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TE28F400CV-T80 | INTEL |
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2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY | |
TE28F640B3 | INTEL |
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3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory | |
TE28F640B3BC100 | INTEL |
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3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory | |
TE28F640B3BC70 | INTEL |
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Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48 | |
TE28F640B3BC90 | INTEL |
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3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory | |
TE28F640B3TC100 | INTEL |
获取价格 |
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory | |
TE28F640B3TC70 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48 | |
TE28F640B3TC90 | INTEL |
获取价格 |
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory | |
TE28F640C3 | INTEL |
获取价格 |
3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory | |
TE28F640C3BA70 | INTEL |
获取价格 |
Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |