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Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F640B3TC100
TE28F640B3TC100 PDF预览

TE28F640B3TC100

更新时间： 2024-09-24 22:14:47
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
58页 844K
描述
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

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TE28F640B3TC100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.24Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

TE28F640B3TC100 数据手册

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3 Volt Advanced Boot Block Flash  
Memory  
28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3  
Preliminary Datasheet  
Product Features  
■ Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase  
—12 V VPP Fast Production Programming  
■ 2.7 V or 1.65 V I/O Option  
—Reduces Overall System Power  
■ High Performance  
■ Intel® Flash Data Integrator Software  
—Flash Memory Manager  
—System Interrupt Manager  
—Supports Parameter Storage, Streaming  
Data (e.g., Voice)  
■ Extended Cycling Capability  
—Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
Guaranteed  
—2.7 V–3.6 V: 70 ns Max Access Time  
■ Optimized Block Sizes  
■ Automatic Power Savings Feature  
—Typical ICCS after Bus Inactivity  
■ Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball CSP Packages  
—Eight 8-KB Blocks for Data,Top or  
Bottom Locations  
—Up to One Hundred Twenty-Seven 64-  
KB Blocks for Code  
■ Block Locking  
—40- and 48-Lead TSOP Packages  
—VCC-Level Control through WP#  
■ Low Power Consumption  
—9 mA Typical Read Current  
■ Absolute Hardware-Protection  
—VPP = GND Option  
■ Density and Footprint Upgradeable for  
common package  
—4-, 8-, 16-, 32- and 64-Mbit Densities  
■ ETOX™ VII (0.18 µ) Flash Technology  
—28F160/320/640B3xC  
—4-, 8-, 16-, and 32-Mbit also exist on  
ETOX™ V (0.4µ) and/or ETOX ™ VI  
(0.25µ) Flash Technology  
—VCC Lockout Voltage  
■ Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
■ x8 not recommended for new designs  
■ Automated Program and Block Erase  
—Status Registers  
■ 4-Mbit density not recommended for new  
designs  
The 3 Volt Advanced Boot Block flash memory, manufactured on Intel’s latest 0.18 µm  
technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. The 3 Volt Advanced  
Boot Block flash memory products in x16 will be available in 48-lead TSOP and 48-ball CSP  
packages. The x8 option of this product family will only be available in 40-lead TSOP and 48-  
ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be obtained by  
accessing Intel’s website at: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The  
specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that  
you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290580-012  
October 2000  
1234567...58

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F640B3TC70 INTEL

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