5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TE28F640C3TC90
TE28F640C3TC90 PDF预览

TE28F640C3TC90

更新时间： 2024-09-16 21:22:23
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
70页 945K
描述
Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

TE28F640C3TC90 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.58
最长访问时间：90 ns其他特性：USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,127
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

TE28F640C3TC90 数据手册

 浏览型号TE28F640C3TC90的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TE28F640C3TC90的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TE28F640C3TC90的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TE28F640C3TC90的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TE28F640C3TC90的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TE28F640C3TC90的Datasheet PDF文件第7页 
3 Volt Advanced+ Boot Block Flash  
Memory  
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16)  
Preliminary Datasheet  
Product Features  
■ Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase  
—12 V for Fast Production Programming  
■ High Performance  
■ 128-bit Protection Register  
—64-bit Unique Device Identifier  
—64-bit User Programmable OTP Cells  
■ Extended Cycling Capability  
—2.7 V–3.6 V: 70 ns Max Access Time  
—Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
■ Optimized Architecture for Code Plus Data ■ Supports Intel® Flash Data Integrator  
Storage  
Software  
—Eight 4-Kword Blocks, Top or Bottom  
Locations  
—Up to One Hundred-Twenty-Seven 32-  
Kword Blocks  
—Flash Memory Manager  
—System Interrupt Manager  
—Supports Parameter Storage, Streaming  
Data (e.g., voice)  
—Fast Program Suspend Capability  
—Fast Erase Suspend Capability  
■ Flexible Block Locking  
—Lock/Unlock Any Block  
—Full Protection on Power-Up  
—WP# Pin for Hardware Block Protection  
—VPP = GND Option  
■ Automated Word/Byte Program and Block  
Erase  
—Command User Interface  
—Status Registers  
■ Cross-Compatible Command Support  
—Intel Basic Command Set  
—Common Flash Interface  
■ Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball CSP Packages  
—64-Ball Easy BGA Packages  
—48-Lead TSOP Package  
■ ETOX™ VII (0.18 µ) Flash Technology  
—VCC Lockout Voltage  
■ Low Power Consumption  
—9 mA Typical Read Power  
—7 µA Typical Standby Power with  
Automatic Power Savings Feature  
■ 12 V Fast Production Program  
■ Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
—28F160/320/640C3xC  
—8-, 16- and 32-Mbit also exist on  
ETOX™ VI (0.25 µ) Flash Technology  
The 3 Volt Advanced+ Boot Block Flash memory, manufactured on Intel’s latest 0.18 µ  
technology, represents a feature-rich solution for low power applications. 3 Volt Advanced+  
Boot Block Flash memory devices incorporate low voltage capability (2.7 V read, program and  
erase) with high-speed, low-power operation. Flexible block locking allows any block to be  
independently locked or unlocked. Add to this the Intel® Flash Data Integrator (IFDI) software  
and you have a cost-effective, flexible, monolithic code plus data storage solution. Intel® 3 Volt  
Advanced+ Boot Block products will be available in 48-lead TSOP, 48-ball CSP, and 64-ball  
Easy BGA packages. Additional information on this product family can be obtained by  
accessing the Intel® Flash website: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The  
specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that  
you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290645-010  
October 2000  
1234567...70

中文翻译

下载PDF

与TE28F640C3TC90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F640C3TD70 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F640J3A-110 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3A-115 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3A-120 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3A-125 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3A-150 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-110 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-115 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-120 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Memory (J3)

与TE28F640C3TC90相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证