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SVT03100ND

更新时间： 2024-04-09 19:02:51
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 375K
描述
TO-252-2L

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SVT03100ND 数据手册

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士兰微电子  
SVT03100ND 说明书  
典型特性曲线(续)  
图 8. 导通电阻 vs. 温度特性  
图 7. 击穿电压 vs. 温度特性  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
注：  
1. VGS=0V  
2. ID=250uA  
注：  
1. VGS=10V  
2. ID=15A  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
结温 - TJ(°C)  
结温 - TJ(°C)  
图 9. 最大安全工作区域  
103  
102  
101  
100µs  
1ms  
10ms  
DC  
100  
最大基准温度：25°C  
10-1  
10-1  
100  
101  
102  
漏-源电压 – VDS (V)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号：1.1  
共 8 页 第 5 页  
12345678

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