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SVS65R400DE3

更新时间： 2024-11-19 15:19:47

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士兰微 - SILAN		/
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10页	538K
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TO-252-2L

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SVS65R400DE3 数据手册

士兰微电子

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 说明书

11A, 650V 超结 MOS功率管

描述

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N 沟道增强型高压功率

MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗

和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 应用广泛。如，适用于

硬/软开关拓扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



11A，650V，R_DS(on)(typ.)=0.33@V_GS=10V

创新高压技术

TO-220FJH-3L

TO-220FJD-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-252-2L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

650

单位

2.0~4.0

0.4

V_GS(th)

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

65R40DE3

6540FJHE3

65R400FDE3

65R400E3

环保等级

无卤

包装方式

编带

SVS65R400DE3TR

SVS65R400FJHE3

SVS65R400FJDE3

SVS65R400L8AE3TR

TO-252-2L

TO-220FJH-3L

无卤

料管

TO-220FJD-3L

无卤

料管

DFN-4-8x8x0.85-2.0

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 10 页第 1 页

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