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SVS80R900DE3

更新时间: 2024-03-03 10:10:39
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 522K
描述
TO-252-2L

SVS80R900DE3 数据手册

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士兰微电子  
SVS80R900F(D)(FJD)E3 说明书  
6A800V 超结 MOS功率管  
描述  
2
SVS80R900F(D)(FJD)E3 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采  
用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,  
使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外SVS80R900F(D)(FJD)E3 应用广泛用于硬/软开关  
拓扑。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
1
6A800VRDS(on)(typ.)=0.76@VGS=10V  
创新高压技术  
3
1
2
3
TO-252-2L  
TO-220F-3L  
低栅极电荷  
较强的雪崩能力  
较强的 dv/dt 能力  
较高的峰值电流能力  
100%雪崩测试  
1
2
3
TO-220FJD-3L  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
800  
单位  
V
2.5~4.5  
0.9  
V
VGS(th)  
RDS(on)  
max.  
24  
A
ID.pulse  
Qg.typ.  
16  
nC  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-220F-3L  
TO-252-2L  
打印名称  
80R900FE3  
80R90DE3  
80R900FDE3  
环保等级  
包装方式  
料管  
SVS80R900FE3  
SVS80R900DE3TR  
SVS80R900FJDE3  
无卤  
无卤  
无卤  
编带  
TO-220FJD-3L  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.1  
10 页 第 1 页  

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