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SVS7N70DD2

更新时间: 2024-03-03 10:10:17
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士兰微 - SILAN /
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9页 447K
描述
TO-252-2L

SVS7N70DD2 数据手册

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士兰微电子  
SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 说明书  
7A, 700V 超结 MOS功率管  
2
描述  
SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用  
士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损  
耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度等特性,提高热行为。  
此外,SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 应用广泛。如适用于硬/软开关拓  
扑,照明,适配器等领域。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
1
1
特点  
3
3
TO-252-2L  
TO-263-2L  
7A,700V, RDS(on)(典型值 =0.52@VGS=10V  
)
创新高压技术  
1
低栅极电荷  
2
1
3
2
3
TO-220F-3L  
较强的雪崩能力  
较强的 dv/dt 能力  
较高的峰值电流能力  
TO-251J-3L  
产品规格分类  
产品名称  
SVS7N70FD2  
SVS7N70DD2TR  
SVS7N70MJD2  
SVS7N70SD2  
封装形式  
TO-220F-3L  
TO-252-2L  
TO-251J-3L  
TO-263-2L  
打印名称  
7N70FD2  
7N70DD2  
7N70MJD2  
7N70SD2  
环保等级  
无卤  
包装方式  
料管  
无卤  
编带  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.2  
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