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SVS80R430FJDE3

更新时间: 2024-11-13 15:17:19
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
13页 673K
描述
TO-220FJD-3L

SVS80R430FJDE3 数据手册

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士兰微电子  
SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 说明书  
12A800V 超结 MOS功率管  
描述  
2
SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率  
MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗  
和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外,SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 应用广泛。如,适用  
于硬/软开关拓扑。  
1
1
2
3
TO-220FJH-3L  
3
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
TO-252-2L  
12A800VRDS(on)(typ.)=0.37@VGS=10V  
创新高压技术  
1
2
3
TO-220FJD-3L  
低栅极电荷  
1
较强的雪崩能力  
2
3
较强的 dv/dt 能力  
较高的峰值电流能力  
100%雪崩测试  
TO-220F-3L  
DFN-4-8x8x0.85-2.0  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
800  
单位  
V
2.5~4.5  
0.43  
48  
V
VGS(th)  
RDS(on),max.  
ID.pulse  
A
29  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-220F-3L  
打印名称  
80R430FE3  
8043FJHE3  
80R43DE3  
80R430FDE3  
80R430E3  
环保等级  
无卤  
包装方式  
料管  
SVS80R430FE3  
SVS80R430FJHE3  
SVS80R430DE3TR  
SVS80R430FJDE3  
SVS80R430L8AE3TR  
TO-220FJH-3L  
TO-252-2L  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
TO-220FJD-3L  
DFN-4-8x8x0.85-2.0  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.4  
13 页 第 1 页  

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