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SVS70R600SE3

更新时间： 2024-11-13 15:18:35

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士兰微 - SILAN		/
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12页	551K
描述
TO-263-2L

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SVS70R600SE3 数据手册

士兰微电子

SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 说明书

7A，700V 超结MOS功率管

描述

SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 N 沟道增强型高压功率

MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗

和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 应用广泛。如，适

用于硬/软开关拓扑。

TO-220F-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点

TO-220FJH-3L



7A，700V，R_DS(on)(typ.)=0.5@V_GS=10V

创新高压技术

TO-220FJD-3L

低栅极电荷

TO-251J-3L

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-252-2L

TO-263-2L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

700

单位

2.5~4.5

0.6

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D.pulse



Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-252-2L

打印名称

70R60DE3

70R600SE3

70600MJE3

70R600FE3

70R600FDE3

7060FJHE3

环保等级

无卤

包装方式

编带

SVS70R600DE3TR

SVS70R600SE3

SVS70R600SE3TR

SVS70R600MJE3

SVS70R600FE3

SVS70R600FJDE3

SVS70R600FJHE3

TO-263-2L

无卤

料管

TO-263-2L

无卤

编带

TO-251J-3L

TO-220F-3L

TO-220FJD-3L

TO-220FJH-3L

无卤

料管

无卤

料管

无卤

料管

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 12 页第 1 页

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