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SVS65R640DD4

更新时间： 2024-11-19 18:09:27

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士兰微 - SILAN		/
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12页	624K
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TO-252-2L

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SVS65R640DD4 数据手册

士兰微电子

SVS65R640FJD(D)D4 说明书

7A, 650V 超结 MOS功率管

描述

SVS65R640FJD(D)D4 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士

兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使

得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS65R640FJD(D)D4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓

扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



7A，650V，R_DS(on)(typ.)=0.57@V_GS=10V

创新高压技术

TO-252-2L

低栅极电荷

TO-220FJD-3L

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS@T_J.max

V_GS(th)

参数值

700

单位

2.0~4.0

0.64

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-220FJD-3L

TO-252-2L

打印名称

65R640D4

环保等级

无卤

包装方式

料管

SVS65R640FJDD4

SVS65R640DD4TR

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

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