5秒后页面跳转
SVS70R600DE3 PDF预览

SVS70R600DE3

更新时间: 2024-11-18 15:18:35
品牌 Logo 应用领域
士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
12页 551K
描述
TO-252-2L

SVS70R600DE3 数据手册

 浏览型号SVS70R600DE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SVS70R600DE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SVS70R600DE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SVS70R600DE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SVS70R600DE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SVS70R600DE3的Datasheet PDF文件第7页 
士兰微电子  
SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 说明书  
7A700V 超结MOS功率管  
2
描述  
SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 N 沟道增强型高压功率  
MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗  
和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外,SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 应用广泛。如,适  
用于硬/软开关拓扑。  
1
2
2
3
1
TO-220F-3L  
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
1
3
特点  
TO-220FJH-3L  
7A700VRDS(on)(typ.)=0.5@VGS=10V  
创新高压技术  
1
2
3
1
2
3
TO-220FJD-3L  
低栅极电荷  
TO-251J-3L  
较强的雪崩能力  
较强的 dv/dt 能力  
较高的峰值电流能力  
100%雪崩测试  
1
3
1
3
TO-252-2L  
TO-263-2L  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
700  
单位  
V
2.5~4.5  
0.6  
V
VGS(th)  
RDS(on),max.  
ID.pulse  
28  
A
17  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-252-2L  
打印名称  
70R60DE3  
70R600SE3  
70R600SE3  
70600MJE3  
70R600FE3  
70R600FDE3  
7060FJHE3  
环保等级  
无卤  
包装方式  
编带  
SVS70R600DE3TR  
SVS70R600SE3  
SVS70R600SE3TR  
SVS70R600MJE3  
SVS70R600FE3  
SVS70R600FJDE3  
SVS70R600FJHE3  
TO-263-2L  
无卤  
料管  
TO-263-2L  
无卤  
编带  
TO-251J-3L  
TO-220F-3L  
TO-220FJD-3L  
TO-220FJH-3L  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.4  
12 页 第 1 页  

与SVS70R600DE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SVS70R600FE3 SILAN

获取价格

TO-220F-3L
SVS70R600SE3 SILAN

获取价格

TO-263-2L
SVS70R900DE3 SILAN

获取价格

TO-252-2L
SVS7N65D SILAN

获取价格

TO-252-2L
SVS7N65FD2 SILAN

获取价格

TO-220F-3L
SVS7N65FJD2 SILAN

获取价格

TO-220FJ-3L
SVS7N70D SILAN

获取价格

TO-252-2L
SVS7N70DD2 SILAN

获取价格

TO-252-2L
SVS80R280FE3 SILAN

获取价格

TO-220F-3L
SVS80R280FJDE3 SILAN

获取价格

TO-220FJD-3L