士兰微电子
SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 说明书
电气参数(除非特殊说明,TJ=25C)
静态参数
参数值
典型值
--
参数
漏源击穿电压
符号
BVDSS
IDSS
测试条件
VGS=0V,ID=250µA
单位
V
最小值
最大值
--
650
--
VDS=650V,VGS=0V,TJ=25C
VDS=650V,VGS=0V,TJ=125C
VGS=±30V,VDS=0V
VGS=VDS,ID=250µA
VGS=10V,ID=5.5A
--
1.0
--
漏源漏电流
µA
--
1.5
--
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
RG
--
±100
4.0
0.4
--
nA
V
2.0
--
--
0.33
3.6
栅极电阻
f=1MHz
--
动态参数
参数值
典型值
929
34
参数
符号
测试条件
单位
最小值
最大值
输入电容
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
输出电容
f=1MHz,VGS=0V,VDS=100V
pF
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
0.82
18
VDD=325V,VGS=10V,
RG=24Ω,ID=11A
39
ns
td(off)
tf
66
(注 3,4)
33
Qg
27
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
栅极-平台电压
Qgs
Qgd
Vplateau
7.6
nC
V
VDD=520V,VGS=10V,ID=11A
(注 3,4)
13
6.9
反向二极管特性参数
参数值
典型值
--
参数
符号
测试条件
IS=11A,VGS=0V
单位
最小值
最大值
源-漏二极管压降
反向恢复时间
VSD
Trr
--
--
--
--
1.4
--
V
ns
µC
A
254
3.2
IS=11A,VGS=0V,dIF/dt=100A/µs
(注 3)
反向恢复电荷
Qrr
Irrm
--
反向恢复峰值电流
25
--
注:
1.
2.
脉冲时间5µs;
耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少:
0.77W/C(TO-252-2L)(DFN-4-8x8x0.85-2.0)/0.24W/C(TO-220FJH-3L)( TO-220FJD-3L);
脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3.
4.
基本上不受工作温度的影响。
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.2
共 10 页 第 3 页
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