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SVS65R400DE3

更新时间： 2024-03-03 10:11:40

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士兰微 - SILAN		/
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10页	538K
描述
TO-252-2L

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SVS65R400DE3 数据手册

士兰微电子

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 说明书

极限参数（除非特殊说明，T_A=25C）

参数值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

650

-20

-30

典型值

最大值

漏源电压

V_DS

V_GS

栅源电压（静态）

栅源电压（动态）

AC（f>1Hz）

T_C=25C

漏极电流

I_D

7.0

T_C=100C

T_C=25C

漏极脉冲电流（注 1）

I_DM

P_D

耗散功率（TO-252-2L）

T_C=25C

（DFN-4-8x8x0.85-2.0）（注 2）

耗散功率(TO-220FJH-3L)

（TO-220FJD-3L）（注 2）

P_D

L=79mH，V_DD=100V，R_G=25，

单脉冲雪崩能量

E_AS

356

开始温度T_J=25C

单脉冲电流

I_AS

dv/dt

T_J

2.8

V/ns

C

体二极管

V_DS=0~400V，I_SD<=I_S，T_J=25C

MOS 管 dv/dt 耐用性

工作结温范围

V_DS=0~480V

100

150

-55

贮存温度范围

T_stg

C

连续二极管正向电流

二极管脉冲电流

最大二极管整流速度

I_S

T_C=25C，MOS管中源极、漏极构

成的反偏P-N结

I_S,_pulse

di/dt

V_DS=0~400V，I_SD<= I_S，T_J=25C

250

A/µs

热特性

表 1. TO-252-2L/ DFN-4-8x8x0.85-2.0（SVS65R400D/L8AE3）热特性

参数值

典型值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

最大值

1.3

芯片对表面热阻，底部

芯片对环境的热阻

R_θJC

R_θJA

C/W

62.5

回流焊：10±1sec，3times

焊接温度（SMD）

T_sold

260

C

波峰焊： ^2sec，1time

10_-0

表 2. TO-220FJH-3L/TO-220FJD-3L（SVS65R400FJH/FJDE3）热特性

参数值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

典型值

最大值

4.1

芯片对表面热阻，底部

芯片对环境的热阻

R_θJC

R_θJA

T_sold

C/W

C

62.5

260

2

-0

sec，1time

焊接温度（直插式）

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 10 页第 2 页

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