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SVS70R900DE3

更新时间： 2024-03-03 10:09:18

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士兰微 - SILAN		/
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11页	516K
描述
TO-252-2L

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SVS70R900DE3 数据手册

士兰微电子

SVS70R900S(D)(MJ)E3 说明书

5A, 700V 超结 MOS功率管

描述

SVS70R900S(D)(MJ)E3 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用

士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，

使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS70R900S(D)(MJ)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关

拓扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



5A，700V，R_DS(on)(typ.)=0.8@V_GS=10V

创新高压技术

TO-251J-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

TO-263-2L

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-252-2L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

700

单位

2.5~4.5

0.9

V_GS(th)

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-263-2L

TO-252-2L

TO-251J-3L

打印名称

70R900SE3

70R90DE3

70900MJE3

环保等级

无卤

包装方式

料管

编带

料管

SVS70R900SE3

SVS70R900SE3TR

SVS70R900DE3TR

SVS70R900MJE3

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 11 页第 1 页

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