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SVS80R430DE3

更新时间： 2024-03-03 10:07:54

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士兰微 - SILAN		/
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13页	673K
描述
TO-252-2L

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SVS80R430DE3 数据手册

士兰微电子

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 说明书

12A，800V 超结 MOS功率管

描述

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 沟道增强型高压功率

MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗

和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 应用广泛。如，适用

于硬/软开关拓扑。

TO-220FJH-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点

TO-252-2L



12A，800V，R_DS(on)(typ.)=0.37@V_GS=10V

创新高压技术

TO-220FJD-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-220F-3L

DFN-4-8x8x0.85-2.0

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

800

单位

2.5~4.5

0.43

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D.pulse



Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-220F-3L

打印名称

80R430FE3

8043FJHE3

80R43DE3

80R430FDE3

80R430E3

环保等级

无卤

包装方式

料管

SVS80R430FE3

SVS80R430FJHE3

SVS80R430DE3TR

SVS80R430FJDE3

SVS80R430L8AE3TR

TO-220FJH-3L

TO-252-2L

无卤

料管

无卤

编带

TO-220FJD-3L

DFN-4-8x8x0.85-2.0

无卤

料管

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

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