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SUM110N04-03L

更新时间： 2024-01-01 09:06:08

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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6页	50K
描述
N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SUM110N04-03L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	375 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUM110N04-03L 数据手册

SUM110N04-03L

New Product

Vishay Siliconix

N-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 175_C Junction Temperature

APPLICATIONS

0.0035 @ V = 10 V

110

0.0053 @ V = 4.5 V

D Automotive Applications Such As:

- ABS

- 12-V EPS

- Motor Drives

D Industrial

TO-263

D S

Top View

SUM110N04-03L

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

110

Continuous Drain Current (T = 175_C)

102

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

300

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

151

= 25_C

230

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

PCB Mount

thJA

thJC

C/W

0.65

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72081

S-22247—Rev. A, 25-Nov-02

www.vishay.com

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