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SUM110N04-03P-E3

更新时间： 2024-09-25 20:44:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUM110N04-03P-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：375 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SUM110N04-03P-E3 数据手册

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SUM110N04-03P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Available  
175 °C Junction Temperature  
110a  
0.0031 at VGS = 10 V  
40  
RoHS*  
Package with Low Thermal Resistance  
Extremely Low Qgd WFETTM Technology for  
COMPLIANT  
Low Switching Losses  
•
100 % Rg Tested  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
S
Ordering Information: SUM110N04-03P-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
110a  
TC = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)  
ID  
110a  
440  
70  
TC = 125 °C  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energyb  
EAS  
211  
mJ  
W
375c  
3.75  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationb  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
PCB Mountd  
RthJA  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
0.4  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Duty cycle ≤ 1 %.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72346  
S-80274-Rev. C, 11-Feb-08  
www.vishay.com  
1
123456

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SUM110N04-03P-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUM110N04-03-E3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 110 A, 40 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT
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功能相似

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与SUM110N04-03P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM110N04-04 VISHAY

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 		TRANSISTOR 110 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,

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