5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SUM110N03-04P-T1
SUM110N03-04P-T1 PDF预览

SUM110N03-04P-T1

更新时间： 2024-01-24 09:16:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SUM110N03-04P-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：120 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SUM110N03-04P-T1 数据手册

 浏览型号SUM110N03-04P-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUM110N03-04P-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUM110N03-04P-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUM110N03-04P-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUM110N03-04P-T1的Datasheet PDF文件第6页 
SUM110N03-04P  
New Product  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Junction Temperature  
PRODUCT SUMMARY  
D Optimized for Low-Side Synchronous Rectifier Operation  
D New Package with Low Thermal Resistance  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.0042 @ V = 10 V  
110  
77  
GS  
30  
0.0065 @ V = 4.5 V  
GS  
D DC/DC Converters  
D Synchronous Rectifier  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
S
Ordering Information: SUM110N03-04P  
SUM110N03-04P-E3 (Lead Free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
V
GS  
V
"20  
110  
88  
T
= 25_C  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
= 100_C  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
300  
55  
DM  
I
AR  
a
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
151  
mJ  
b
T
T
= 25_C  
120  
C
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
c
= 25_C  
3.75  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
c
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
PCB Mount  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
R
1.25  
Notes  
a. Duty cycle v 1%.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 72366  
S-32523—Rev. B, 08-Dec-03  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

与SUM110N03-04P-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM110N03-04P-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-02L VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) 200 Degree Celcious MOSFET
SUM110N04-02L-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-03 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) 200C MOSFET
SUM110N04-03-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 110 A, 40 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT
SUM110N04-03L VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N04-03P VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-03P-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-04 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N04-04-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 110 A, 40 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT

与SUM110N03-04P-T1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证