Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUM110N04-02L

SUM110N04-02L

更新时间： 2024-09-24 08:58:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	42K
描述
N-Channel 40-V (D-S) 200 Degree Celcious MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SUM110N04-02L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	437.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUM110N04-02L 数据手册

SUM110N04-02L

New Product

Vishay Siliconix

N-Channel 40-V (D-S) 200_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D 200_C Junction Temperature

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Package with Low Thermal Resistance

APPLICATIONS

0.0023 @ V = 10 V

110

0.0038 @ V = 4.5 V

D Automotive

– ABS

– 12-V EPS

– Motor Drives

TO-263

D S

Top View

N-Channel MOSFET

SUM110N04-02L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

110

Continuous Drain Current (T = 175_C)

110

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

440

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

280

= 25_C

437.5

Maximum Power Dissipation

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 200

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

PCB Mount

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

0.4

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 70763

S-04970—Rev. B, 29-Oct-01

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SUM110N04-02L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM110N04-02L-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-03	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) 200C MOSFET
SUM110N04-03-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 110 A, 40 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT
SUM110N04-03L	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N04-03P	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-03P-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM110N04-04	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N04-04-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 110 A, 40 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT
SUM110N04-05H	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) 175∑C MOSFET
SUM110N04-05H_08	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) 175 °C MOSFET