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STWA40N95DK5

更新时间： 2023-12-20 18:44:41

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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14页	378K
描述
N沟道950 V、0.120 Ohm典型值、38 A MDmesh DK5功率MOSFET，TO-247长引线封装

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STWA40N95DK5 数据手册

STW40N95DK5, STWA40N95DK5

Electrical characteristics (curves)

2.1

Electrical characteristics (curves)

Figure 1. Forward bias safe operating area

Figure 2. Thermal impedance

AM09125v1

GADG121220161639SOA

I_D

10^-1

10^-2

(A)

d=0.5

10²

0.2

0.1

t_p=10 µs

0.05

t_p=100 µs

10¹

0.02

0.01

t_p=1 ms

T_J≤ 150 °C,

T_C= 25 °C,

Single pulse

Zth=k * R_thJC

d=tp/t

Single pulse

10⁰

t_p=10 ms

10^-1

10^-2

10^-1

V_DS(V)

10^-4

10^-1

10^-3

_tp(s)

10⁰

10¹

10²

10³

Figure 3. Output characteristics

Figure 4. Transfer characteristics

GADG121220161647OCH

V_GS= 10, 11 V

GADG121220161656TCH

I_D

(A)

I_D

(A)

9 V

100

V_DS= 20 V

8 V

7 V

6 V

V_DS(V)

V_GS(V)

Figure 5. Gate charge vs gate-source voltage

Figure 6. Static drain-source on-resistance

GADG121220161700QVG

GADG121220161716RID

V_GS

(V)

V_DS

(V)

R_DS(on)

(mΩ)

700

600

500

400

300

200

100

130

V_DD= 760 V

I_D= 38 A

V_GS= 10 V

125

120

115

110

100

Q_g(nC)

I_D(A)

DS9918 - Rev 5

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