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STW82100B

更新时间： 2024-02-13 10:15:44
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 转换器射频
页数 文件大小 规格书
67页 753K
描述
RF down converter with embedded integer-N synthesizer

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STW82100B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LCC44,.28SQ,20Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.81特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENTJESD-609代码：e3
LO 可调谐：YES安装特点：SURFACE MOUNT
端子数量：44最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：LCC44,.28SQ,20电源：3.3,5 V
最大射频输入频率：2400 MHz最小射频输入频率：1850 MHz
射频/微波设备类型：DOWN CONVERTER子类别：RF/Microwave Up/Down Converters
表面贴装：YES技术：BICMOS
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealedBase Number Matches：1

STW82100B 数据手册

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STW82100B  
RF down converter with embedded integer-N synthesizer  
Datasheet −production data  
Features  
■ High linearity:  
– IIP3: +25.5 dBm  
– 2FRF-2FLO spurious rejection: 77 dBc  
VFQFPN-44  
■ Noise figure:  
Applications  
– NF: 10.5 dB  
■ Cellular infrastructure equipment:  
– IF sampling receivers  
■ Conversion gain  
– CG: 8 dB  
– Digital PA linearization loops  
■ RF range: 1620 MHz to 2400 MHz  
■ Other wireless communication systems.  
■ Wide IF amplifier frequency range: 70 MHz to  
400 MHz  
Table 1.  
Device summary  
■ Integrated RF balun with internal matching  
Part number  
Package  
Packaging  
Tray  
Tape and reel  
■ Dual differential integrated VCOs with  
STW82100B  
VFQFPN-44  
VFQFPN-44  
automatic center frequency calibration:  
STW82100BTR  
– LOA: 1650 to 1950 MHz  
– LOB: 2050 to 2370 MHz  
Description  
■ Embedded integer-N synthesizer  
– Dual modulus programmable prescaler  
(16/17 or 19/20)  
– Programmable reference frequency divider  
(10 bits)  
The STMicroelectronics STW82100B is an  
integrated down converter providing 8 dB of gain,  
10.5 dB NF, and a very high input linearity by  
means of its passive mixer.  
– Adjustable charge pump current  
– Digital lock detector  
– Excellent integrated phase noise  
– Fast lock time: 150 µs  
Embedding two wide band auto calibrating VCOs  
and an integer-N synthesizer, the STW82100B is  
suitable for both Rx and Tx requirements for  
Cellular infrastructure equipment.  
The integrated RF balun and internal matching  
permit direct 50 ohm single-ended interface to RF  
port. The IF output is suitable for driving 200-ohm  
impedance filters.  
■ Integrated DAC with dual current output  
■ Supply: 3.3 V and 5 V analog,  
3.3 V Digital  
2
■ Dual digital bus interface: SPI and I C bus (fast  
By embedding a DAC with dual current output to  
drive an external PIN diode attenuator, the  
STW82100B replaces several costly discrete  
components and offers a significant footprint  
reduction.  
mode) with 3 bit programmable address  
(1101A A A )  
2
1 0  
■ Process: 0.35 µm BICMOS SiGe  
o
■ Operating temperature range -40 to +85 C  
The STW82100B device is designed with  
STMicroelectronics advanced 0.35 µm  
SiGe process. Its performance is specified over a  
-40 °C to +85 °C temperature range.  
■ 44-lead exposed pad VFQFPN  
package7x7x1.0 mm  
May 2012  
Doc ID 018355 Rev 5  
1/67  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
1
 
1234567...67

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