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STW82101B

更新时间： 2024-11-27 12:23:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 转换器射频
页数 文件大小 规格书
68页 788K
描述
RF down converter with embedded integer-N synthesizer

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STW82101B 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN,针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.72其他特性：IT ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY, SELECTABLE 19/20 PRESCALER
模拟集成电路 - 其他类型：PLL FREQUENCY SYNTHESIZERJESD-30 代码：S-XQCC-N44
JESD-609代码：e3长度：7 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7 mmBase Number Matches：1

STW82101B 数据手册

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STW82101B  
RF down converter with embedded integer-N synthesizer  
Datasheet −production data  
Features  
■ High linearity:  
– IIP3: +24.5 dBm  
– 2FRF-2FLO spurious rejection: 75 dBc  
VFQFPN-44  
■ Noise figure:  
– NF: 9.5 dB  
Applications  
■ Conversion gain  
■ Cellular infrastructure equipment:  
– IF sampling receivers  
– CG: 8.5 dB  
■ RF range: 695 MHz to 960 MHz  
– Digital PA linearization loops  
■ Wide IF amplifier frequency range: 70 MHz to  
■ Other wireless communication systems.  
400 MHz  
Table 1.  
Device summary  
■ Integrated RF balun with internal matching  
Part number  
Package  
Packaging  
Tray  
Tape and reel  
■ Dual differential integrated VCOs with  
automatic center frequency calibration:  
STW82101B  
VFQFPN-44  
VFQFPN-44  
– LOA: 850 to 1025 MHz  
– LOB: 1025 to 1185 MHz  
STW82101BTR  
Description  
■ Embedded integer-N synthesizer  
– Dual modulus programmable prescaler  
(16/17 or 19/20)  
– Programmable reference frequency divider  
(10 bits)  
The STMicroelectronics STW82101B is an  
integrated down converter providing 8.5 dB of  
gain, 9.5 dB NF, and a very high input linearity by  
means of its passive mixer.  
– Adjustable charge pump current  
– Digital lock detector  
– Excellent integrated phase noise  
– Fast lock time: 150 µs  
Embedding two wide band auto calibrating VCOs  
and an integer-N synthesizer, the STW82101B is  
suitable for both Rx and Tx requirements for  
Cellular infrastructure equipment.  
The integrated RF balun and internal matching  
permit direct 50 ohm single-ended interface to RF  
port. The IF output is suitable for driving 200-ohm  
impedance filters.  
■ Integrated DAC with dual current output  
■ Supply: 3.3 V and 5 V analog,  
3.3 V digital  
2
■ Dual digital bus interface: SPI and I C bus (fast  
By embedding a DAC with dual current output to  
drive an external PIN diode attenuator, the  
STW82101B replaces several costly discrete  
components and offers a significant footprint  
reduction.  
mode) with 3 bit programmable address  
(1101A A A )  
2
1 0  
■ Process: 0.35 µm BICMOS SiGe  
o
■ Operating temperature range -40 to +85 C  
■ 44-lead exposed pad VFQFPN  
The STW82101B device is designed with  
STMicroelectronics advanced 0.35 µm  
SiGe process. Its performance is specified over a  
-40 °C to +85 °C temperature range.  
package 7x7x1.0 mm  
May 2012  
Doc ID 018503 Rev 3  
1/68  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
1
 
1234567...68

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