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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 101K |  |
| 描述 | ||
| 10A, 600V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 2.27 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 40 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STPSC1006G-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V power Schottky silicon carbide diode |
|
| STPSC10C065-Y | STMICROELECTRONICS |
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汽车用650 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管 |
|
| STPSC10H065 | STMICROELECTRONICS |
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650 V power Schottky silicon carbide diode |
|
| STPSC10H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
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650 V power Schottky silicon carbide diode |
|
| STPSC10H065BY-TR | STMICROELECTRONICS |
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汽车级650 V、10 A DPAK碳化硅功率肖特基二极管 |
|
| STPSC10H065D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V power Schottky silicon carbide diode |
|
| STPSC10H065DI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
|
| STPSC10H065DLF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode |
|
| STPSC10H065G2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
|
| STPSC10H065G-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V power Schottky silicon carbide diode |
|
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