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STPSC10H065G-TR

更新时间： 2024-02-20 08:44:35
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 122K
描述
650 V power Schottky silicon carbide diode

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STPSC10H065G-TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：D2PAK-3/2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：1.17
Samacsys Description：STMicroelectronics STPSC10H065GY-TR, SMT Schottky Switching Diode, 650V 10A, 2+Tab-Pin D2PAK应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.75 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：650 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPSC10H065G-TR 数据手册

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STPSC10H065  
650 V power Schottky silicon carbide diode  
Datasheet production data  
Features  
■ No or negligible reverse recovery  
A
K
■ Switching behavior independent of  
temperature  
■ Dedicated to PFC applications  
■ High forward surge capability  
K
K
Description  
A
The SiC diode is an ultrahigh performance power  
Schottky diode. It is manufactured using a silicon  
carbide substrate. The wide bandgap material  
allows the design of a Schottky diode structure  
with a 650 V rating. Due to the Schottky  
construction, no recovery is shown at turn-off and  
ringing patterns are negligible. The minimal  
capacitive turn-off behavior is independent of  
temperature.  
A
NC  
K
TO-220AC  
STPSC10H065D  
D2PAK  
STPSC10H065G-TR  
K
A
NC  
Especially suited for use in PFC applications, this  
ST SiC diode will boost the performance in hard  
switching conditions. Its high forward surge  
capability ensures a good robustness during  
transient phases.  
DPAK  
STPSC10H065B-TR  
Device summary  
Table 1.  
Symbol  
IF(AV)  
VRRM  
Value  
10 A  
650 V  
175 °C  
Tj (max)  
October 2012  
Doc ID 023604 Rev 2  
1/9  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
9
1234567...9

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