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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 438K |  |
| 描述 | ||
| 1200 V power Schottky silicon carbide diode | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 1.5 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 60 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 最大反向电流： | 60 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STPSC10H12B2-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
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| STPSC10H12C | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、10 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC10H12D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V power Schottky silicon carbide diode |
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| STPSC10H12G2-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
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| STPSC10H12G2Y-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive Grade 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
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| STPSC10H12G-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC10H12WL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
|
| STPSC10H12-Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车用1200 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC10TH13TI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 x 650V串联、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC12065 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V 碳化硅功率肖特基二极管 |
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