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STPSC15H12D

更新时间： 2024-09-30 01:18:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 435K
描述
1200 V power Schottky silicon carbide diode

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STPSC15H12D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：2.24
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：90 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPSC15H12D 数据手册

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STPSC15H12  
1200 V power Schottky silicon carbide diode  
Datasheet - production data  
A
K
K
Description  
The SiC diode, available in TO-220AC, is an  
ultrahigh performance power Schottky rectifier. It  
is manufactured using a silicon carbide substrate.  
The wide band-gap material allows the design of  
a low VF Schottky diode structure with a 1200 V  
rating. Due to the Schottky construction, no  
recovery is shown at turn-off and ringing patterns  
are negligible. The minimal capacitive turn-off  
behavior is independent of temperature.  
A
K
Especially suited for use in PFC and secondary  
side applications, this ST SiC diode will boost the  
performance in hard switching conditions. This  
rectifier will enhance the performance of the  
targeted application. Its high forward surge  
capability ensures a good robustness during  
transient phases.  
TO-220AC  
Features  
No or negligible reverse recovery  
Switching behavior independent of  
temperature  
Table 1: Device summary  
Symbol  
IF(AV)  
Value  
15 A  
Robust high voltage periphery  
VRRM  
1200 V  
175 °C  
1.35 V  
Tj (max.)  
VF (typ.)  
May 2016  
DocID029174 Rev 1  
1/8  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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