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STP16N10L

更新时间： 2024-02-01 10:51:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.14 ohm - 16A - TO-220 POWER MOS TRANSISTOR

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STP16N10L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP16N10L 数据手册

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STP16N10L  
®
N - CHANNEL 100V - 0.14 Ω - 16A - TO-220  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP16N10L  
100 V  
< 0.16 Ω  
16 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.14 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
HIGH dV/dt RUGGEDNESS  
3
2
1
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
TO-220  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
POWER MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCRONOUS RECTIFICATION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
100  
± 15  
16  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
11  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
90  
W
Derating Factor  
0.4  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dV/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
0.6  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
1/5  
March 1999  
12345

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