5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STF11N65K3
STF11N65K3 PDF预览

STF11N65K3

更新时间： 2024-02-13 00:55:14
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 800K
描述
11A, 650V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

STF11N65K3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：212 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STF11N65K3 数据手册

 浏览型号STF11N65K3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STF11N65K3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STF11N65K3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STF11N65K3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STF11N65K3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STF11N65K3的Datasheet PDF文件第7页 
STF11N65K3  
N-channel 650 V, 0.765 Ω, 11 A, TO-220FP  
SuperMESH3™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
Ptot  
STF11N65K3  
650 V  
< 0.85 Ω 11 A 35 W  
■ 100% avalanche tested  
3
■ Extremely high dv/dt capability  
■ Gate charge minimized  
2
TO-22P  
■ Very low intrinsic capacitances  
■ Improved diode reverse recovery  
characteristics  
■ Zener-protected  
Applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Switching applications  
D(2)  
Description  
This device is an N-channel Zner-protected  
SuperMESH3™ Power MSFET developed  
using STMicroelectics' SuperMESH™  
technology, achieved through optimization of ST's  
well established strip-based PowerMESH™  
layout. In adition to a significant reduction in on-  
resistae, this device is designed to ensure a  
high level of dv/dt capability for the most  
dmanding applications.  
G(1)  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1.  
Order codes  
STF11N65K3  
Device summary  
Marking  
Package  
TO-220FP  
Packaging  
11N65K3  
Tube  
October 2011  
Doc ID 17931 Rev 2  
1/13  
www.st.com  
13  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

STF11N65K3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK2148-01 FUJI

功能相似

 N-channel MOS-FET

与STF11N65K3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STF11N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO
STF11N65M2(045Y) STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO
STF11N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and
STF11NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFE
STF11NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow
STF11NM65N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ„
STF11NM80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STF-120HV PREMO

获取价格

 		Three Phase+Neutral Filters For Solar Technology Applications
STF12A60 WINSEMI

获取价格

 		Bi-Directional Triode Thyristor
STF12A60 SEMIWELL

获取价格

 		Bi-Directional Triode Thyristor

与STF11N65K3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证