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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF11N52K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET |
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| STF11N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STF11N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.550 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2 EP功率MOS |
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| STF11N65K3 | STMICROELECTRONICS |
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11A, 650V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PI |
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| STF11N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO |
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| STF11N65M2(045Y) | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO |
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| STF11N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and |
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| STF11NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFE |
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| STF11NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow |
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| STF11NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
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