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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 322K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 200V - 0.35ohm - 7A DPAK / IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252AA | 包装说明: | TO-252, DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.42 |
雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 45 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD7NS20-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.35ohm - 7A DPAK / IPAK MES | |
STD7NS20T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA | |
STD8 | ETC |
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SOCKET DIN FOR TA TIMER | |
STD80 | ETC |
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STD80 0.5 Micron STD80 Standard Cell Library|Data Sheet | |
STD800BLK | VCC |
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LED Mounting Hardware, PLASTIC PACKAGE | |
STD8010 | STMICROELECTRONICS |
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Flexible MPEG audio/video codec with DVD and DVB receiver capability | |
STD8010AWB | STMICROELECTRONICS |
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Flexible MPEG audio/video codec with DVD and DVB receiver capability | |
STD802S | SAMHOP |
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Transistor | |
STD80N10F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSF | |
STD80N240K6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package |