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STD2NC70Z-1

更新时间： 2024-09-19 22:08:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
10页 449K
描述
N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STD2NC70Z-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64雪崩能效等级（Eas）：165 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：4.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD2NC70Z-1 数据手册

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STD2NC70Z  
STD2NC70Z-1  
N-CHANNEL 700V - 4.1Ω - 2.3A DPAK/IPAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD2NC70Z  
STD2NC70Z-1  
700V  
700V  
< 4.7Ω  
< 4.7Ω  
2.3 A  
2.3 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 4.1Ω  
DS  
3
3
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE TO - SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
1
2
1
■
■
■
DPAK  
IPAK  
(Add Suffix “T4” for Tape & Reel)  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrat-  
ing back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capa-  
bility with higher ruggedness performance as re-  
quested by a large variety of single-switch  
applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
700  
700  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 25  
2.3  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.45  
9.2  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
55  
W
C
Derating Factor  
0.44  
±50  
W/°C  
mA  
KV  
I
Gate-source Current (DC)  
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
1.5  
ESD(G-S)  
dv/dt (1)  
3
V/ns  
°C  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
°C  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤2.3A, di/dt ≤100A/µs, V  
≤ V , T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
April 2001  
1/10  
1234567...10

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与STD2NC70Z-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD2NC70ZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252AA
STD2NK100Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA
STD2NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD2NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD2NK70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700 V - 6 W - 1.6 A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STD2NK70Z_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STD2NK90Z_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 900V - 5Ω - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPA

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