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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.63 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 700 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD2NK70ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700 V - 6 W - 1.6 A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
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| STD2NK90Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
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| STD2NK90Z_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 900V - 5Ω - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPA |
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| STD2NK90Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
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| STD2NK90ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
|
| STD2NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 2.8ohm - 2A DPAK/IPAK Zener- |
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| STD2NM60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 2.8ohm - 2A DPAK/IPAK Zener- |
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| STD2NM60T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA |
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| STD30100 | JSMC |
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TO-220 |
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| STD30100S | JSMC |
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TO-220MF-K1 |
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