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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD2NC50-1
STD2NC50-1 PDF预览

STD2NC50-1

更新时间： 2024-09-19 22:12:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 446K
描述
N-CHANNEL 500V - 3ohm - 2.2A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET

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STD2NC50-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD2NC50-1 数据手册

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STD2NC50  
STD2NC50-1  
N-CHANNEL 500V - 3Ω - 2.2A DPAK/IPAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD2NC50  
STD2NC50-1  
500 V  
500 V  
< 4 Ω  
< 4 Ω  
2.2 A  
2.2 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 3 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
1
2
1
IPAK  
DPAK  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
500  
±30  
2.2  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.4  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
8.8  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
45  
W
C
Derating Factor  
0.36  
3
W/°C  
V/ns  
°C  
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–60 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
°C  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤ 2.2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
May 2001  
1/10  
1234567...10

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与STD2NC50-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD2NC50T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
STD2NC60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2A DPAK / IPAK Powe
STD2NC60-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA
STD2NC60T4 STMICROELECTRONICS

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 		2A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD2NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zene
STD2NC70Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zene
STD2NC70ZT4 ETC

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STD2NK100Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA
STD2NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD2NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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