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STD2NC60T4 PDF预览

STD2NC60T4

更新时间： 2024-11-08 21:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 281K
描述
2A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

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STD2NC60T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.62雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：3.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD2NC60T4 数据手册

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STD2NC60  
N-CHANNEL 600V - 3.3Ω - 2A DPAK / IPAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD2NC60  
600V  
< 3.6Ω  
2A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 3.3Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
1
1
DPAK  
IPAK  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
2
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.3  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
8
60  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.48  
4
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
January 2001  
1/9  
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STD2NC60T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD2NC60 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2A DPAK / IPAK Powe

与STD2NC60T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD2NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zene
STD2NC70Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zene
STD2NC70ZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252AA
STD2NK100Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA
STD2NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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 		Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD2NK70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700 V - 6 W - 1.6 A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
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 		N-channel 700V - 6Ω - 1.6 A - DPAK/IPAK Zener
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