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STB6LNC60

更新时间： 2024-11-22 22:27:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 424K
描述
N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET

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STB6LNC60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A
最大漏极电流 (ID)：5.8 A最大漏源导通电阻：1.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：23.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB6LNC60 数据手册

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STB6LNC60  
2
N-CHANNEL 600V - 1Ω - 5.8A D PAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB6LNC60  
600 V  
< 1.25 Ω  
5.8 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.0 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
1
2
D PAK  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns switching speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
600  
±30  
5.8  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.65  
23.2  
100  
0.8  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
3
T
stg  
–65 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤5.8A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
October 2001  
1/9  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB6LNC60T4 ETC

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