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STB6NB90

更新时间： 2024-01-16 09:22:26
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 51K
描述
N - CHANNEL 900V - 1.7OHM - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET

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STB6NB90 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.69Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A
最大漏极电流 (ID)：5.8 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：135 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：23 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB6NB90 数据手册

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STB6NB90  
®
2
N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D PAK  
PowerMESH MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB6NB90  
900 V  
< 2.0 Ω  
5.8 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.7 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
ADD SUFFIX "T4" FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL (500 UNITS)  
D2PAK  
TO-263  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
900  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
900  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
± 30  
5.8  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
3.6  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
Derating Factor  
23  
A
Ptot  
135  
W
1.08  
4.5  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Limited only by maximum temperature allowed  
(1) ISD ≤ 6 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
February 1999  
12345

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STB6NB90 替代型号

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