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STB70NF03LT4

更新时间： 2024-02-10 00:29:20
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 158K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB

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STB70NF03LT4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB70NF03LT4 数据手册

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STB70NF03L  
N-CHANNEL 30V - 0.008  
Ω - 70A D2PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
DS(on)  
I
D
DSS  
STB70NF03L  
30 V  
< 0.01 Ω  
70 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.008Ω  
DS  
TYPICAL Qg= 35 nC @10V  
OPTIMAL R (on) x Qg TRADE-OFF  
DS  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
3
1
D2PAK  
DESCRIPTION  
This application specific Power MOSFET is the third  
genaration of STMicroelectronics unique “ Single  
Feature Size” strip-based process. The resulting  
transistor shows the best trade-off between on-re-  
sistance and gate charge. When used as high and  
low side in buck regulators, it gives the best perfor-  
mance in terms of both conduction and switching  
losses. This is extremely important for mother-  
boards where fast switching and high efficiency are  
of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS  
■
AUTOMOTIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
30  
Unit  
V
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
70  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
50  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
280  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.67  
4
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–60 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤70A, di/dt ≤290A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
April 2001  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB70NF3 STMICROELECTRONICS

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