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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB70NF03L-1
STB70NF03L-1 PDF预览

STB70NF03L-1

更新时间： 2024-09-29 22:06:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
9页 257K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.008ohm - 70A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

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STB70NF03L-1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：TO-262, I2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.78Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB70NF03L-1 数据手册

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STP70NF03L  
STB70NF03L-1  
2
N-CHANNEL 30V - 0.008Ω - 70A TO-220/I PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP70NF03L  
STB70NF03L-1  
30 V  
30 V  
< 0.01 Ω  
< 0.01 Ω  
70 A  
70 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.008 Ω  
DS  
TYPICAL Q = 35 nC @ 10 V  
g
OPTIMAL R (on) x Q TRADE-OFF  
DS  
g
3
3
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
2
2
1
1
DESCRIPTION  
2
TO-220  
I PAK  
This application specific Power Mosfet is the third  
generation of STMicroelectronics unique “Single  
Feature Size™” strip-based process. The result-  
ing transistor shows the best trade-off between on-  
resistance and gate charge. When used as high  
and low side in buck regulators, it gives the best  
performance in terms of both conduction and  
switching losses. This is extremely important for  
motherboards where fast switching and high effi-  
ciency are of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 15  
70  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
50  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
280  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
W
C
Derating Factor  
0.67  
4
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤70A, di/dt ≤290A/µs, V =24 V ; T ≤ T  
JMAX.  
SD  
DD  
j
March 2001  
1/9  
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STB70NF03L-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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