是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | AVALANCHE ENERGY RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 65 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.92 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB7001 | STMICROELECTRONICS |
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900 MHz THREE GAIN LEVEL LNA | |
STB7002 | STMICROELECTRONICS |
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1.8GHz THREE GAIN LEVEL LNA | |
STB7002TR | STMICROELECTRONICS |
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1.8 GHZ THREE GAIN LEVEL LNA | |
STB7003 | STMICROELECTRONICS |
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TRI-BAND GSM/DCS/PCS LNA | |
STB70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠| |
STB70NF02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | |
STB70NF02LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB | |
STB70NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | |
STB70NF03L_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET TM II Po | |
STB70NF03L-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.008ohm - 70A TO-220/I2PAK L |